N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S

RS kataloški broj:: 125-0541brend: ToshibaProizvođački broj:: TK16E60W5,S1VX(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

130 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.221

RSD 244,287 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 1.466

RSD 293,144 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.221
10RSD 2.443
15RSD 3.664
20RSD 4.886
25RSD 3.723
30RSD 4.468
35RSD 5.212
40RSD 5.957
45RSD 6.702
50RSD 7.120
55RSD 7.832
60RSD 8.544
65RSD 9.255
70RSD 9.967
75RSD 10.679

RSD 1.221

RSD 244,287 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 1.466

RSD 293,144 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.221
10RSD 2.443
15RSD 3.664
20RSD 4.886
25RSD 3.723
30RSD 4.468
35RSD 5.212
40RSD 5.957
45RSD 6.702
50RSD 7.120
55RSD 7.832
60RSD 8.544
65RSD 9.255
70RSD 9.967
75RSD 10.679

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 20RSD 244,287RSD 1.221
25 - 45RSD 148,924RSD 745
50+RSD 142,392RSD 712

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

130 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više