P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3

RS kataloški broj:: 178-3717brend: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SQJ415EP-T1_GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 246.900

RSD 82,30 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)

RSD 296.280

RSD 98,76 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3

3000

Dostupno u više komada 3000
3000RSD 246.900
6000RSD 493.800
9000RSD 740.700
12000RSD 987.600
15000RSD 1.234.500
18000RSD 1.481.400
21000RSD 1.728.300
24000RSD 1.975.200
27000RSD 2.222.100
30000RSD 2.469.000
33000RSD 2.715.900
36000RSD 2.962.800
39000RSD 3.209.699
42000RSD 3.456.599
45000RSD 3.703.499

RSD 246.900

RSD 82,30 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)

RSD 296.280

RSD 98,76 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000RSD 246.900
6000RSD 493.800
9000RSD 740.700
12000RSD 987.600
15000RSD 1.234.500
18000RSD 1.481.400
21000RSD 1.728.300
24000RSD 1.975.200
27000RSD 2.222.100
30000RSD 2.469.000
33000RSD 2.715.900
36000RSD 2.962.800
39000RSD 3.209.699
42000RSD 3.456.599
45000RSD 3.703.499

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više