N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4090DY-T1-GE3

RS kataloški broj:: 787-9131brend: VishayProizvođački broj:: SI4090DY-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

ThunderFET

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

12 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

7.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

45.6 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.646

RSD 329,20 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 1.975

RSD 395,04 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4090DY-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.646
10RSD 3.292
15RSD 4.938
20RSD 6.584
25RSD 8.230
30RSD 9.876
35RSD 11.522
40RSD 13.168
45RSD 14.814
50RSD 16.329
55RSD 17.962
60RSD 19.595
65RSD 21.228
70RSD 22.861
75RSD 24.494

RSD 1.646

RSD 329,20 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 1.975

RSD 395,04 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4090DY-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.646
10RSD 3.292
15RSD 4.938
20RSD 6.584
25RSD 8.230
30RSD 9.876
35RSD 11.522
40RSD 13.168
45RSD 14.814
50RSD 16.329
55RSD 17.962
60RSD 19.595
65RSD 21.228
70RSD 22.861
75RSD 24.494

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 45RSD 329,20RSD 1.646
50 - 120RSD 326,587RSD 1.633
125 - 245RSD 257,351RSD 1.287
250 - 495RSD 220,773RSD 1.104
500+RSD 180,276RSD 901

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

ThunderFET

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

12 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

7.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

45.6 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više