P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 116,265
komadno (u pakovanju od 20) (bez PDV-a)
RSD 139,518
komadno (u pakovanju od 20) (s PDV-om)
Standard
20
RSD 116,265
komadno (u pakovanju od 20) (bez PDV-a)
RSD 139,518
komadno (u pakovanju od 20) (s PDV-om)
Standard
20
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RSD 116,265 | RSD 2.325 |
| 100 - 180 | RSD 94,057 | RSD 1.881 |
| 200 - 480 | RSD 92,751 | RSD 1.855 |
| 500 - 980 | RSD 91,444 | RSD 1.829 |
| 1000+ | RSD 90,138 | RSD 1.803 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda