SiC N-Channel MOSFET, 42 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed CMF20120D
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.2V
Maximum Power Dissipation
215 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-5 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+135 °C
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
90.8 nC @ 0/20 V
Width
5.21mm
Transistor Material
SiC
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
3.5V
Height
21.1mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.2V
Maximum Power Dissipation
215 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-5 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+135 °C
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
90.8 nC @ 0/20 V
Width
5.21mm
Transistor Material
SiC
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
3.5V
Height
21.1mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda