IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V, 3-Pin TO-220 IXFP7N80P

RS kataloški broj:: 194-136robna marka: IXYSProizvođački broj:: IXFP7N80P
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-220

Series

HiperFET, Polar

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.44 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

200 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.66mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Width

4.83mm

Height

9.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

KM 65,71

KM 13,143 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 76,88

KM 15,377 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V, 3-Pin TO-220 IXFP7N80P
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 65,71
10KM 131,43
15KM 197,14
20KM 262,86
25KM 254,25
30KM 305,10
35KM 355,96
40KM 406,81
45KM 457,66
50KM 508,51
55KM 559,36
60KM 610,21
65KM 661,06
70KM 711,91
75KM 762,76

KM 65,71

KM 13,143 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 76,88

KM 15,377 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V, 3-Pin TO-220 IXFP7N80P

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 65,71
10KM 131,43
15KM 197,14
20KM 262,86
25KM 254,25
30KM 305,10
35KM 355,96
40KM 406,81
45KM 457,66
50KM 508,51
55KM 559,36
60KM 610,21
65KM 661,06
70KM 711,91
75KM 762,76

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
5 - 20KM 13,143KM 65,71
25 - 95KM 10,17KM 50,85
100 - 245KM 10,014KM 50,07
250 - 495KM 8,899KM 44,49
500+KM 8,723KM 43,61

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-220

Series

HiperFET, Polar

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.44 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

200 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.66mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Width

4.83mm

Height

9.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više