Nexperia PBSS4350T,215 NPN Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23

RS kataloški broj:: 518-1671robna marka: NexperiaProizvođački broj:: PBSS4350T
brand-logo
Prikaži sve u Bipolar Transistors

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Nexperia

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

1.2 W

Minimum DC Current Gain

300

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 4,11

KM 0,411 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 4,81

KM 0,481 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

Nexperia PBSS4350T,215 NPN Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10KM 4,11
20KM 8,21
30KM 12,32
40KM 16,43
50KM 20,54
60KM 24,64
70KM 28,75
80KM 32,86
90KM 36,96
100KM 41,07
110KM 45,18
120KM 49,29
130KM 53,39
140KM 57,50
150KM 61,61

KM 4,11

KM 0,411 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 4,81

KM 0,481 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

Nexperia PBSS4350T,215 NPN Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10KM 4,11
20KM 8,21
30KM 12,32
40KM 16,43
50KM 20,54
60KM 24,64
70KM 28,75
80KM 32,86
90KM 36,96
100KM 41,07
110KM 45,18
120KM 49,29
130KM 53,39
140KM 57,50
150KM 61,61

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Nexperia

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

1.2 W

Minimum DC Current Gain

300

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više