STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW48NM60N
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.15mm
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
124 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 192,60
€ 6,42 Each (In a Tube of 30) (bez PDV-a)
€ 225,34
€ 7,511 Each (In a Tube of 30) (s PDV-om)
30
€ 192,60
€ 6,42 Each (In a Tube of 30) (bez PDV-a)
€ 225,34
€ 7,511 Each (In a Tube of 30) (s PDV-om)
30
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 6,42 | € 192,60 |
| 60+ | € 6,19 | € 185,70 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.15mm
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
124 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda