Diodes Inc Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 9.3 A, 9.6 A, 35 V, 4-Pin DPAK DMG4511SK4-13
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
8.9 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Width
6.2mm
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalji o proizvodu
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 13,00
€ 0,65 Each (In a Pack of 20) (bez PDV-a)
€ 15,21
€ 0,76 Each (In a Pack of 20) (s PDV-om)
Standard
20
€ 13,00
€ 0,65 Each (In a Pack of 20) (bez PDV-a)
€ 15,21
€ 0,76 Each (In a Pack of 20) (s PDV-om)
Standard
20
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
8.9 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Width
6.2mm
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalji o proizvodu
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda