Diodes Inc P-Channel MOSFET, 17.5 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2006UFG-7

RS kataloški broj:: 921-1139brend: DiodesZetexProizvođački broj:: DMP2006UFG-7
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

DiodesZetex

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

PowerDI3333-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

17 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

41 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

3.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3.35mm

Height

0.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalji o proizvodu

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 2.116

RSD 105,814 komadno (u pakovanju od 20) (bez PDV-a)

RSD 2.540

RSD 126,977 komadno (u pakovanju od 20) (s PDV-om)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 17.5 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2006UFG-7
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

20

Dostupno u više komada 20
20RSD 2.116
40RSD 4.233
60RSD 6.349
80RSD 8.465
100RSD 7.446
120RSD 8.935
140RSD 10.425
160RSD 11.914
180RSD 13.403
200RSD 14.892
220RSD 16.382
240RSD 17.871
260RSD 19.360
280RSD 20.849
300RSD 22.339

RSD 2.116

RSD 105,814 komadno (u pakovanju od 20) (bez PDV-a)

RSD 2.540

RSD 126,977 komadno (u pakovanju od 20) (s PDV-om)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 17.5 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2006UFG-7
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

20

Dostupno u više komada 20
20RSD 2.116
40RSD 4.233
60RSD 6.349
80RSD 8.465
100RSD 7.446
120RSD 8.935
140RSD 10.425
160RSD 11.914
180RSD 13.403
200RSD 14.892
220RSD 16.382
240RSD 17.871
260RSD 19.360
280RSD 20.849
300RSD 22.339

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo pakovanje
20 - 80RSD 105,814RSD 2.116
100 - 480RSD 74,462RSD 1.489
500 - 980RSD 70,543RSD 1.411
1000 - 2480RSD 65,317RSD 1.306
2500+RSD 61,398RSD 1.228

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

DiodesZetex

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

PowerDI3333-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

17 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

41 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

3.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3.35mm

Height

0.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalji o proizvodu

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više