Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 79 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R022M1HXUMA1

RS kataloški broj:: 284-713brend: InfineonProizvođački broj:: IMT65R022M1HXUMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

79 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 6.035.332

RSD 3.017,666 komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 7.242.399

RSD 3.621,199 komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 79 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R022M1HXUMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 6.035.332
4000RSD 12.070.665
6000RSD 18.105.997
8000RSD 24.141.330
10000RSD 30.176.662
12000RSD 36.211.994
14000RSD 42.247.327
16000RSD 48.282.659
18000RSD 54.317.991
20000RSD 60.353.324
22000RSD 66.388.656
24000RSD 72.423.989
26000RSD 78.459.321
28000RSD 84.494.653
30000RSD 90.529.986

RSD 6.035.332

RSD 3.017,666 komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 7.242.399

RSD 3.621,199 komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 79 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R022M1HXUMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 6.035.332
4000RSD 12.070.665
6000RSD 18.105.997
8000RSD 24.141.330
10000RSD 30.176.662
12000RSD 36.211.994
14000RSD 42.247.327
16000RSD 48.282.659
18000RSD 54.317.991
20000RSD 60.353.324
22000RSD 66.388.656
24000RSD 72.423.989
26000RSD 78.459.321
28000RSD 84.494.653
30000RSD 90.529.986

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

79 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više