Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 71 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R030M1HXUMA1

RS kataloški broj:: 284-715robna marka: InfineonProizvođački broj:: IMT65R030M1HXUMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

71 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 68.374,77

KM 34,187 Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 79.998,48

KM 39,999 Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 71 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R030M1HXUMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 68.374,77
4000KM 136.749,54
6000KM 205.124,30
8000KM 273.499,07
10000KM 341.873,84
12000KM 410.248,61
14000KM 478.623,38
16000KM 546.998,14
18000KM 615.372,91
20000KM 683.747,68
22000KM 752.122,45
24000KM 820.497,22
26000KM 888.871,98
28000KM 957.246,75
30000KM 1.025.621,52

KM 68.374,77

KM 34,187 Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 79.998,48

KM 39,999 Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 71 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R030M1HXUMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 68.374,77
4000KM 136.749,54
6000KM 205.124,30
8000KM 273.499,07
10000KM 341.873,84
12000KM 410.248,61
14000KM 478.623,38
16000KM 546.998,14
18000KM 615.372,91
20000KM 683.747,68
22000KM 752.122,45
24000KM 820.497,22
26000KM 888.871,98
28000KM 957.246,75
30000KM 1.025.621,52

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

71 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više