onsemi NTMFS5C430N N-Channel MOSFET, 185 A, 40 V, 4 + Tab-Pin DFN NTMFS5C430NT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
185 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Series
NTMFS5C430N
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
106 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.1mm
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 160.681
RSD 107,121 komad (u Reel od 1500) (bez PDV-a)
RSD 192.817
RSD 128,545 komad (u Reel od 1500) (s PDV-om)
1500
RSD 160.681
RSD 107,121 komad (u Reel od 1500) (bez PDV-a)
RSD 192.817
RSD 128,545 komad (u Reel od 1500) (s PDV-om)
1500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
185 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Series
NTMFS5C430N
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
106 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.1mm
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda