onsemi N-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NTMYS014N06CLTWG

RS kataloški broj:: 195-2528robna marka: onsemiProizvođački broj:: NTMYS014N06CLTWG
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

36 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

LFPAK, SOT-669

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

21.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

37 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.25mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.7 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.15mm

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 6.454,14

KM 2,151 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 7.551,34

KM 2,517 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

onsemi N-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NTMYS014N06CLTWG

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 6.454,14
6000KM 12.908,28
9000KM 19.362,42
12000KM 25.816,56
15000KM 32.270,70
18000KM 38.724,84
21000KM 45.178,98
24000KM 51.633,12
27000KM 58.087,26
30000KM 64.541,40
33000KM 70.995,54
36000KM 77.449,68
39000KM 83.903,82
42000KM 90.357,96
45000KM 96.812,10

KM 6.454,14

KM 2,151 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 7.551,34

KM 2,517 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

onsemi N-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NTMYS014N06CLTWG
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 6.454,14
6000KM 12.908,28
9000KM 19.362,42
12000KM 25.816,56
15000KM 32.270,70
18000KM 38.724,84
21000KM 45.178,98
24000KM 51.633,12
27000KM 58.087,26
30000KM 64.541,40
33000KM 70.995,54
36000KM 77.449,68
39000KM 83.903,82
42000KM 90.357,96
45000KM 96.812,10

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

36 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

LFPAK, SOT-669

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

21.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

37 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.25mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.7 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.15mm

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više