Toshiba N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.8mm
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.7mm
Zemlja podrijetla
Thailand
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 10,00
€ 0,20 Each (In a Pack of 50) (bez PDV-a)
€ 11,70
€ 0,234 Each (In a Pack of 50) (s PDV-om)
50
€ 10,00
€ 0,20 Each (In a Pack of 50) (bez PDV-a)
€ 11,70
€ 0,234 Each (In a Pack of 50) (s PDV-om)
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 0,20 | € 10,00 |
| 150 - 450 | € 0,17 | € 8,50 |
| 500 - 950 | € 0,15 | € 7,50 |
| 1000+ | € 0,13 | € 6,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.8mm
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.7mm
Zemlja podrijetla
Thailand
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda