Toshiba N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 6-Pin UF6 SSM6K403TU
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
UF6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
66 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
2mm
Length
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 4 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.7mm
Zemlja podrijetla
Thailand
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 38,00
€ 0,38 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 44,46
€ 0,445 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
100
€ 38,00
€ 0,38 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 44,46
€ 0,445 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 100 - 475 | € 0,38 | € 9,50 |
| 500 - 975 | € 0,35 | € 8,75 |
| 1000+ | € 0,32 | € 8,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
UF6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
66 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
2mm
Length
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 4 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.7mm
Zemlja podrijetla
Thailand
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda