Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK40A06N1,S4X(S

RS kataloški broj:: 896-2375robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK40A06N1,S4X(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 14,86

KM 1,486 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 17,39

KM 1,739 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK40A06N1,S4X(S

10

Dostupno u više komada 10
10KM 14,86
20KM 29,73
30KM 44,59
40KM 59,46
50KM 48,90
60KM 58,67
70KM 68,45
80KM 78,23
90KM 88,01
100KM 97,79
110KM 107,57
120KM 117,35
130KM 127,13
140KM 136,91
150KM 146,68

KM 14,86

KM 1,486 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 17,39

KM 1,739 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK40A06N1,S4X(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

10

Dostupno u više komada 10
10KM 14,86
20KM 29,73
30KM 44,59
40KM 59,46
50KM 48,90
60KM 58,67
70KM 68,45
80KM 78,23
90KM 88,01
100KM 97,79
110KM 107,57
120KM 117,35
130KM 127,13
140KM 136,91
150KM 146,68

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
10 - 40KM 1,486KM 14,86
50+KM 0,978KM 9,78

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više