Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5862brend: InfineonProizvođački broj:: IPD028N06NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

139 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 152,843

komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 183,412

komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 305.686
4000RSD 611.371
6000RSD 917.057
8000RSD 1.222.743
10000RSD 1.528.428
12000RSD 1.834.114
14000RSD 2.139.800
16000RSD 2.445.485
18000RSD 2.751.171
20000RSD 3.056.857
22000RSD 3.362.542
24000RSD 3.668.228
26000RSD 3.973.914
28000RSD 4.279.599
30000RSD 4.585.285

RSD 152,843

komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 183,412

komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 305.686
4000RSD 611.371
6000RSD 917.057
8000RSD 1.222.743
10000RSD 1.528.428
12000RSD 1.834.114
14000RSD 2.139.800
16000RSD 2.445.485
18000RSD 2.751.171
20000RSD 3.056.857
22000RSD 3.362.542
24000RSD 3.668.228
26000RSD 3.973.914
28000RSD 4.279.599
30000RSD 4.585.285

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

139 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više