Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

RS kataloški broj:: 222-4670robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPD60R280CFD7ATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.28 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

KM 5.867,40

KM 2,347 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)

KM 6.864,86

KM 2,746 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

2500

Dostupno u više komada 2500
2500KM 5.867,40
5000KM 11.734,80
7500KM 17.602,20
10000KM 23.469,60
12500KM 29.337,00
15000KM 35.204,40
17500KM 41.071,80
20000KM 46.939,20
22500KM 52.806,60
25000KM 58.674,00
27500KM 64.541,40
30000KM 70.408,80
32500KM 76.276,20
35000KM 82.143,60
37500KM 88.011,00

KM 5.867,40

KM 2,347 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)

KM 6.864,86

KM 2,746 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2500

Dostupno u više komada 2500
2500KM 5.867,40
5000KM 11.734,80
7500KM 17.602,20
10000KM 23.469,60
12500KM 29.337,00
15000KM 35.204,40
17500KM 41.071,80
20000KM 46.939,20
22500KM 52.806,60
25000KM 58.674,00
27500KM 64.541,40
30000KM 70.408,80
32500KM 76.276,20
35000KM 82.143,60
37500KM 88.011,00

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.28 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više