STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 75 A, 200 V, 3-Pin TO-247 STW75NF20
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247
Series
STripFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.15mm
Length
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-50 °C
Height
20.15mm
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 20.261
RSD 675,382 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 24.314
RSD 810,458 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
30
RSD 20.261
RSD 675,382 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 24.314
RSD 810,458 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
30
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247
Series
STripFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.15mm
Length
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-50 °C
Height
20.15mm
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda