N-Channel MOSFET, 15 A, 40 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK15S04N1L,LQ(O

RS kataloški broj:: 133-2798brend: ToshibaProizvođački broj:: TK15S04N1L,LQ(O
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

U-MOSVIII-H

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

37 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

46 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Width

5.5mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.3mm

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.091

RSD 218,16 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 1.309

RSD 261,792 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 15 A, 40 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK15S04N1L,LQ(O
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.091
10RSD 2.182
15RSD 3.272
20RSD 4.363
25RSD 4.703
30RSD 5.643
35RSD 6.584
40RSD 7.525
45RSD 8.465
50RSD 9.406
55RSD 10.346
60RSD 11.287
65RSD 12.227
70RSD 13.168
75RSD 14.109

RSD 1.091

RSD 218,16 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 1.309

RSD 261,792 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 15 A, 40 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK15S04N1L,LQ(O
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.091
10RSD 2.182
15RSD 3.272
20RSD 4.363
25RSD 4.703
30RSD 5.643
35RSD 6.584
40RSD 7.525
45RSD 8.465
50RSD 9.406
55RSD 10.346
60RSD 11.287
65RSD 12.227
70RSD 13.168
75RSD 14.109

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 20RSD 218,16RSD 1.091
25+RSD 188,114RSD 941

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

U-MOSVIII-H

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

37 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

46 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Width

5.5mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.3mm

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više