N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S

RS kataloški broj:: 125-0541brend: ToshibaProizvođački broj:: TK16E60W5,S1VX(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

130 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 241,675

komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 290,01

komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.208
10RSD 2.417
15RSD 3.625
20RSD 4.833
25RSD 3.690
30RSD 4.429
35RSD 5.167
40RSD 5.905
45RSD 6.643
50RSD 7.054
55RSD 7.760
60RSD 8.465
65RSD 9.171
70RSD 9.876
75RSD 10.581

RSD 241,675

komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 290,01

komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.208
10RSD 2.417
15RSD 3.625
20RSD 4.833
25RSD 3.690
30RSD 4.429
35RSD 5.167
40RSD 5.905
45RSD 6.643
50RSD 7.054
55RSD 7.760
60RSD 8.465
65RSD 9.171
70RSD 9.876
75RSD 10.581

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 20RSD 241,675RSD 1.208
25 - 45RSD 147,617RSD 738
50+RSD 141,086RSD 705

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

130 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više