N-Channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4410BDY-T1-E3

RS kataloški broj:: 710-4702brend: VishayProizvođački broj:: SI4410BDY-T1-E3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
You may be interested in
N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3
N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3brend: Vishay
RSD 65,84komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4410BDY-T1-E3
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4410BDY-T1-E3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
You may be interested in
N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3
N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3brend: Vishay
RSD 65,84komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
You may be interested in
N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3
N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3brend: Vishay
RSD 65,84komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)