Diodes Inc P-Channel MOSFET, 8.6 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4025LK3-13
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 12,75
€ 0,51 Each (In a Pack of 25) (bez PDV-a)
€ 14,92
€ 0,597 Each (In a Pack of 25) (s PDV-om)
Standard
25
€ 12,75
€ 0,51 Each (In a Pack of 25) (bez PDV-a)
€ 14,92
€ 0,597 Each (In a Pack of 25) (s PDV-om)
Standard
25
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda