N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC500N20NS3GATMA1

RS kataloški broj:: 170-2304brend: InfineonProizvođački broj:: BSC500N20NS3GATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

50 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

96 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Width

6.35mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Series

BSC500N20NS3 G

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 176,357

komad (u Reel od 5000) (bez PDV-a)

RSD 211,628

komad (u Reel od 5000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC500N20NS3GATMA1

5000

Dostupno u više komada 5000
5000RSD 881.786
10000RSD 1.763.571
15000RSD 2.645.357
20000RSD 3.527.142
25000RSD 4.408.928
30000RSD 5.290.713
35000RSD 6.172.499
40000RSD 7.054.285
45000RSD 7.936.070
50000RSD 8.817.856
55000RSD 9.699.641
60000RSD 10.581.427
65000RSD 11.463.212
70000RSD 12.344.998
75000RSD 13.226.784

RSD 176,357

komad (u Reel od 5000) (bez PDV-a)

RSD 211,628

komad (u Reel od 5000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC500N20NS3GATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5000

Dostupno u više komada 5000
5000RSD 881.786
10000RSD 1.763.571
15000RSD 2.645.357
20000RSD 3.527.142
25000RSD 4.408.928
30000RSD 5.290.713
35000RSD 6.172.499
40000RSD 7.054.285
45000RSD 7.936.070
50000RSD 8.817.856
55000RSD 9.699.641
60000RSD 10.581.427
65000RSD 11.463.212
70000RSD 12.344.998
75000RSD 13.226.784

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

50 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

96 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Width

6.35mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Series

BSC500N20NS3 G

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više