Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.2 kA, 1700 V Depletion Tray Infineon FF1200XTR17T2P5BPSA1

Name: Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.2 kA, 1700 V Depletion Tray Infineon FF1200XTR17T2P5BPSA1
Brand: Infineon
SKU: 0277191

RS kataloški broj:: 277-191brend: InfineonProizvođački broj:: FF1200XTR17T2P5BPSA1

Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 kA

Maximum Drain Source Voltage

1700 V

Package Type

Tray

Series

XHP

Mounting Type

Screw Mount

Channel Mode

Depletion

Number of Elements per Chip

Transistor Material

SiC

Zemlja podrijetla

Germany

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.2 kA, 1700 V Depletion Tray Infineon FF1200XTR17T2P5BPSA1

P.O.A.

Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.2 kA, 1700 V Depletion Tray Infineon FF1200XTR17T2P5BPSA1

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda

Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 kA

Maximum Drain Source Voltage

1700 V

Package Type

Tray

Series

XHP

Mounting Type

Screw Mount

Channel Mode

Depletion

Number of Elements per Chip

Transistor Material

SiC

Zemlja podrijetla

Germany