Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30V
Maximum Power Dissipation
270 W
Number of Transistors
1
Package Type
PG-TO263
Configuration
Single
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 372,309
komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 446,771
komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
RSD 372,309
komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 446,771
komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30V
Maximum Power Dissipation
270 W
Number of Transistors
1
Package Type
PG-TO263
Configuration
Single
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda