Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5858brend: InfineonProizvođački broj:: IPB029N06NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 185,502

komad (u Reel od 800) (bez PDV-a)

RSD 222,602

komad (u Reel od 800) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

800

Dostupno u više komada 800
800RSD 148.401
1600RSD 296.802
2400RSD 445.204
3200RSD 593.605
4000RSD 742.006
4800RSD 890.407
5600RSD 1.038.809
6400RSD 1.187.210
7200RSD 1.335.611
8000RSD 1.484.012
8800RSD 1.632.414
9600RSD 1.780.815
10400RSD 1.929.216
11200RSD 2.077.617
12000RSD 2.226.019

RSD 185,502

komad (u Reel od 800) (bez PDV-a)

RSD 222,602

komad (u Reel od 800) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

800

Dostupno u više komada 800
800RSD 148.401
1600RSD 296.802
2400RSD 445.204
3200RSD 593.605
4000RSD 742.006
4800RSD 890.407
5600RSD 1.038.809
6400RSD 1.187.210
7200RSD 1.335.611
8000RSD 1.484.012
8800RSD 1.632.414
9600RSD 1.780.815
10400RSD 1.929.216
11200RSD 2.077.617
12000RSD 2.226.019

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više