Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON Infineon IPG20N06S4L26ATMA1

RS kataloški broj:: 110-9095brend: InfineonProizvođački broj:: IPG20N06S4L26ATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

46 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

33 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Width

5.9mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

0.75mm

Series

OptiMOS

Detalji o proizvodu

Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON Infineon IPG20N06S4L26ATMA1
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

20

Dostupno u više komada 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON Infineon IPG20N06S4L26ATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

20

Dostupno u više komada 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

46 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

33 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Width

5.9mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

0.75mm

Series

OptiMOS

Detalji o proizvodu

Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više