N-Channel MOSFET, 17.5 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R190CFDFKSA1

RS kataloški broj:: 906-4384brend: InfineonProizvođački broj:: IPW65R190CFDFKSA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™ CFD

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

151 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Length

16.13mm

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Width

5.21mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Height

21.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.9V

Detalji o proizvodu

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 326,587

komadno (u pakovanju od 4) (bez PDV-a)

RSD 391,904

komadno (u pakovanju od 4) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 17.5 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R190CFDFKSA1
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 4.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 4.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

4

Dostupno u više komada 4
4RSD 1.306
8RSD 2.613
12RSD 3.919
16RSD 5.225
20RSD 6.532
24RSD 7.838
28RSD 9.144
32RSD 10.451
36RSD 11.757
40RSD 13.063
44RSD 14.370
48RSD 15.676
52RSD 16.983
56RSD 18.289
60RSD 19.595

RSD 326,587

komadno (u pakovanju od 4) (bez PDV-a)

RSD 391,904

komadno (u pakovanju od 4) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 17.5 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R190CFDFKSA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 4.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 4.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

4

Dostupno u više komada 4
4RSD 1.306
8RSD 2.613
12RSD 3.919
16RSD 5.225
20RSD 6.532
24RSD 7.838
28RSD 9.144
32RSD 10.451
36RSD 11.757
40RSD 13.063
44RSD 14.370
48RSD 15.676
52RSD 16.983
56RSD 18.289
60RSD 19.595

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™ CFD

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

151 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Length

16.13mm

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Width

5.21mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Height

21.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.9V

Detalji o proizvodu

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više