N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR3410TRPBF

RS kataloški broj:: 178-5089brend: InfineonProizvođački broj:: IRLR3410TRPBF
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

155 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

79 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Height

2.39mm

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 91,444

komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 109,733

komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR3410TRPBF

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 182.889
4000RSD 365.778
6000RSD 548.667
8000RSD 731.555
10000RSD 914.444
12000RSD 1.097.333
14000RSD 1.280.222
16000RSD 1.463.111
18000RSD 1.646.000
20000RSD 1.828.889
22000RSD 2.011.777
24000RSD 2.194.666
26000RSD 2.377.555
28000RSD 2.560.444
30000RSD 2.743.333

RSD 91,444

komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 109,733

komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR3410TRPBF
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 182.889
4000RSD 365.778
6000RSD 548.667
8000RSD 731.555
10000RSD 914.444
12000RSD 1.097.333
14000RSD 1.280.222
16000RSD 1.463.111
18000RSD 1.646.000
20000RSD 1.828.889
22000RSD 2.011.777
24000RSD 2.194.666
26000RSD 2.377.555
28000RSD 2.560.444
30000RSD 2.743.333

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

155 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

79 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Height

2.39mm

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više