N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon SPA11N65C3XKSA1

RS kataloški broj:: 110-7780brend: InfineonProizvođački broj:: SPA11N65C3XKSA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-220 FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

380 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

33 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.65mm

Typical Gate Charge @ Vgs

45 nC @ 10 V

Width

4.85mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

16.15mm

Series

CoolMOS C3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalji o proizvodu

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon SPA11N65C3XKSA1
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon SPA11N65C3XKSA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-220 FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

380 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

33 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.65mm

Typical Gate Charge @ Vgs

45 nC @ 10 V

Width

4.85mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

16.15mm

Series

CoolMOS C3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalji o proizvodu

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više