N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N30P

RS kataloški broj:: 193-739brend: IXYSProizvođački broj:: IXFN140N30PDistrelec Article No.: 30253363
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.2mm

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 6.716

RSD 6.716 Each (bez PDV-a)

RSD 8.059

RSD 8.059 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N30P
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 6.716
2RSD 13.353
3RSD 20.030
4RSD 26.707
5RSD 33.384
6RSD 40.060
7RSD 46.737
8RSD 53.414
9RSD 60.091
10RSD 66.767
11RSD 73.444
12RSD 80.121
13RSD 86.798
14RSD 93.474
15RSD 100.151

RSD 6.716

RSD 6.716 Each (bez PDV-a)

RSD 8.059

RSD 8.059 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N30P
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 6.716
2RSD 13.353
3RSD 20.030
4RSD 26.707
5RSD 33.384
6RSD 40.060
7RSD 46.737
8RSD 53.414
9RSD 60.091
10RSD 66.767
11RSD 73.444
12RSD 80.121
13RSD 86.798
14RSD 93.474
15RSD 100.151

Kupujte na veliko

količinaJedinična cena
1 - 1RSD 6.716
2+RSD 6.677

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.2mm

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više