N-Channel MOSFET, 61 A, 500 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN64N50P

RS kataloški broj:: 194-568brend: IXYSProizvođački broj:: IXFN64N50PDistrelec Article No.: 30253377
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

61 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

85 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Length

38.23mm

Width

25.42mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
You may be interested in

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 5.411

RSD 5.411 Each (bez PDV-a)

RSD 6.493

RSD 6.493 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 61 A, 500 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN64N50P
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 5.411
2RSD 10.822
3RSD 16.233
4RSD 21.644
5RSD 23.684
6RSD 28.421
7RSD 33.158
8RSD 37.895
9RSD 42.631
10RSD 47.368
11RSD 52.105
12RSD 56.842
13RSD 61.579
14RSD 66.316
15RSD 71.052

RSD 5.411

RSD 5.411 Each (bez PDV-a)

RSD 6.493

RSD 6.493 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 61 A, 500 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN64N50P
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 5.411
2RSD 10.822
3RSD 16.233
4RSD 21.644
5RSD 23.684
6RSD 28.421
7RSD 33.158
8RSD 37.895
9RSD 42.631
10RSD 47.368
11RSD 52.105
12RSD 56.842
13RSD 61.579
14RSD 66.316
15RSD 71.052

Kupujte na veliko

količinaJedinična cena
1 - 4RSD 5.411
5+RSD 4.737

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
You may be interested in

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

61 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

85 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Length

38.23mm

Width

25.42mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
You may be interested in