N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN82N60P

RS kataloški broj:: 194-130brend: IXYSProizvođački broj:: IXFN82N60P
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

72 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

1.04 kW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

240 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.2mm

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 7.591

Each (bez PDV-a)

RSD 9.109

Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN82N60P

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 7.591
2RSD 14.939
3RSD 22.409
4RSD 29.879
5RSD 37.349
6RSD 44.818
7RSD 52.288
8RSD 59.758
9RSD 67.227
10RSD 74.697
11RSD 82.167
12RSD 89.636
13RSD 97.106
14RSD 104.576
15RSD 112.046

RSD 7.591

Each (bez PDV-a)

RSD 9.109

Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN82N60P
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 7.591
2RSD 14.939
3RSD 22.409
4RSD 29.879
5RSD 37.349
6RSD 44.818
7RSD 52.288
8RSD 59.758
9RSD 67.227
10RSD 74.697
11RSD 82.167
12RSD 89.636
13RSD 97.106
14RSD 104.576
15RSD 112.046

Kupujte na veliko

količinaJedinična cena
1 - 1RSD 7.591
2+RSD 7.470

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

72 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

1.04 kW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

240 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.2mm

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više