N-Channel MOSFET, 89 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 Nexperia PSMN7R0-60YS,115

RS kataloški broj:: 798-3028brend: NexperiaProizvođački broj:: PSMN7R0-60YS,115
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

LFPAK, SOT-669

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

10.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

117 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

45 nC @ 10 V

Width

4.1mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Zemlja podrijetla

Philippines

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 313,524

komad ( isporučivo na traci) (bez PDV-a)

RSD 376,229

komad ( isporučivo na traci) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 89 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 Nexperia PSMN7R0-60YS,115
Odaberite vrstu pakovanja

RSD 313,524

komad ( isporučivo na traci) (bez PDV-a)

RSD 376,229

komad ( isporučivo na traci) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 89 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 Nexperia PSMN7R0-60YS,115
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

LFPAK, SOT-669

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

10.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

117 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

45 nC @ 10 V

Width

4.1mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Zemlja podrijetla

Philippines

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više