NXP BF510,215 N-Channel JFET, 20 V, Idss 0.7 to 3.0mA, 3-Pin SOT-23

RS kataloški broj:: 166-0535brend: NXPProizvođački broj:: BF510,215
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

0.7 to 3.0mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Maximum Drain Gate Voltage

20V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Height

1mm

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

NXP BF510,215 N-Channel JFET, 20 V, Idss 0.7 to 3.0mA, 3-Pin SOT-23

3000

Dostupno u više komada 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

NXP BF510,215 N-Channel JFET, 20 V, Idss 0.7 to 3.0mA, 3-Pin SOT-23
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

0.7 to 3.0mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Maximum Drain Gate Voltage

20V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Height

1mm

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više