GaN N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP8G202NG

RS kataloški broj:: 882-9834brend: ON SemiconductorProizvođački broj:: NTP8G202NG
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

65 W

Transistor Configuration

Cascode

Maximum Gate Source Voltage

-18 V, +18 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.53mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.2 nC @ 4.5 V

Width

4.83mm

Transistor Material

GaN

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

2.1V

Height

15.75mm

Zemlja podrijetla

Philippines

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

GaN N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP8G202NG

1

Dostupno u više komada 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

GaN N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP8G202NG
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1

Dostupno u više komada 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

65 W

Transistor Configuration

Cascode

Maximum Gate Source Voltage

-18 V, +18 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.53mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.2 nC @ 4.5 V

Width

4.83mm

Transistor Material

GaN

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

2.1V

Height

15.75mm

Zemlja podrijetla

Philippines

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više