N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 onsemi 2N7002WT1G

RS kataloški broj:: 163-0841brend: onsemiProizvođački broj:: 2N7002WT1G
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

340 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.2mm

Height

0.9mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 6,532

komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)

RSD 7,838

komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 onsemi 2N7002WT1G

3000

Dostupno u više komada 3000
3000RSD 19.595
6000RSD 31.352
9000RSD 47.029
12000RSD 62.705
15000RSD 78.381
18000RSD 94.057
21000RSD 109.733
24000RSD 125.410
27000RSD 141.086
30000RSD 156.762
33000RSD 172.438
36000RSD 188.114
39000RSD 203.790
42000RSD 219.467
45000RSD 235.143

RSD 6,532

komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)

RSD 7,838

komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 onsemi 2N7002WT1G
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000RSD 19.595
6000RSD 31.352
9000RSD 47.029
12000RSD 62.705
15000RSD 78.381
18000RSD 94.057
21000RSD 109.733
24000RSD 125.410
27000RSD 141.086
30000RSD 156.762
33000RSD 172.438
36000RSD 188.114
39000RSD 203.790
42000RSD 219.467
45000RSD 235.143

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo kolut
3000 - 3000RSD 6,532RSD 19.595
6000+RSD 5,225RSD 15.676

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

340 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.2mm

Height

0.9mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više