onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP

RS kataloški broj:: 792-5164Pbrend: onsemiProizvođački broj:: 2SK3557-6-TB-E
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

10 to 20mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

2.9pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 60,092

komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 72,11

komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 25
100RSD 6.009
125RSD 7.512
150RSD 9.014
100RSD 6.009
125RSD 7.512
150RSD 9.014
175RSD 10.516
200RSD 12.018
225RSD 13.521
250RSD 13.390
275RSD 14.729
300RSD 16.068
325RSD 17.407
350RSD 18.746
375RSD 20.085

RSD 60,092

komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 72,11

komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 25
100RSD 6.009
125RSD 7.512
150RSD 9.014
100RSD 6.009
125RSD 7.512
150RSD 9.014
175RSD 10.516
200RSD 12.018
225RSD 13.521
250RSD 13.390
275RSD 14.729
300RSD 16.068
325RSD 17.407
350RSD 18.746
375RSD 20.085

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo kolut
100 - 225RSD 60,092RSD 1.502
250 - 475RSD 53,56RSD 1.339
500 - 975RSD 49,641RSD 1.241
1000+RSD 47,029RSD 1.176

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

10 to 20mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

2.9pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više