P-Channel MOSFET, 65 A, 40 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDWS9509L-F085

RS kataloški broj:: 178-4235brend: onsemiProizvođački broj:: FDWS9509L-F085
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PQFN8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

107 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±16 V

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Width

5.9mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.1mm

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.25V

Zemlja podrijetla

Philippines

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 65 A, 40 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDWS9509L-F085

3000

Dostupno u više komada 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 65 A, 40 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDWS9509L-F085
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PQFN8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

107 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±16 V

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Width

5.9mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.1mm

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.25V

Zemlja podrijetla

Philippines

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više