onsemi FGH75T65SQDNL4, P-Channel IGBT, 200 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

RS kataloški broj:: 181-1864brend: onsemiProizvođački broj:: FGH75T65SQDNL4
brand-logo
Prikaži sve u IGBTs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

200 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

375 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

4

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

160mJ

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

5100pF

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.048,998

komad (u Tubi od 450) (bez PDV-a)

RSD 1.258,798

komad (u Tubi od 450) (s PDV-om)

onsemi FGH75T65SQDNL4, P-Channel IGBT, 200 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

450

Dostupno u više komada 450
450RSD 472.049
900RSD 944.098
1350RSD 1.416.148
1800RSD 1.888.197
2250RSD 2.360.246
2700RSD 2.832.295
3150RSD 3.304.344
3600RSD 3.776.394
4050RSD 4.248.443
4500RSD 4.720.492
4950RSD 5.192.541
5400RSD 5.664.591
5850RSD 6.136.640
6300RSD 6.608.689
6750RSD 7.080.738

RSD 1.048,998

komad (u Tubi od 450) (bez PDV-a)

RSD 1.258,798

komad (u Tubi od 450) (s PDV-om)

onsemi FGH75T65SQDNL4, P-Channel IGBT, 200 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

450

Dostupno u više komada 450
450RSD 472.049
900RSD 944.098
1350RSD 1.416.148
1800RSD 1.888.197
2250RSD 2.360.246
2700RSD 2.832.295
3150RSD 3.304.344
3600RSD 3.776.394
4050RSD 4.248.443
4500RSD 4.720.492
4950RSD 5.192.541
5400RSD 5.664.591
5850RSD 6.136.640
6300RSD 6.608.689
6750RSD 7.080.738

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

200 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

375 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

4

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

160mJ

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

5100pF

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više