onsemi J112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin TO-92

RS kataloški broj:: 806-1757brend: onsemiProizvođački broj:: J112
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 5mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-92

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

5.2 x 4.19 x 5.33mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.2mm

Height

5.33mm

Width

4.19mm

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 58,786

komadno (u pakovanju od 50) (bez PDV-a)

RSD 70,543

komadno (u pakovanju od 50) (s PDV-om)

onsemi J112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin TO-92
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 50.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 50.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

50

Dostupno u više komada 50
50RSD 2.939
100RSD 5.879
150RSD 8.818
200RSD 11.757
250RSD 14.696
300RSD 17.636
350RSD 20.575
400RSD 23.514
450RSD 26.454
500RSD 25.474
550RSD 28.021
600RSD 30.569
650RSD 33.116
700RSD 35.663
750RSD 38.211

RSD 58,786

komadno (u pakovanju od 50) (bez PDV-a)

RSD 70,543

komadno (u pakovanju od 50) (s PDV-om)

onsemi J112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin TO-92
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 50.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 50.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

50

Dostupno u više komada 50
50RSD 2.939
100RSD 5.879
150RSD 8.818
200RSD 11.757
250RSD 14.696
300RSD 17.636
350RSD 20.575
400RSD 23.514
450RSD 26.454
500RSD 25.474
550RSD 28.021
600RSD 30.569
650RSD 33.116
700RSD 35.663
750RSD 38.211

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
50 - 450RSD 58,786RSD 2.939
500+RSD 50,948RSD 2.547

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 5mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-92

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

5.2 x 4.19 x 5.33mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.2mm

Height

5.33mm

Width

4.19mm

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više