onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23

RS kataloški broj:: 761-3684Pbrend: onsemiProizvođački broj:: MMBFJ112
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 5mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Height

0.93mm

Width

1.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 57,479

komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 68,975

komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

25

Dostupno u više komada 25
25RSD 1.437
50RSD 2.874
75RSD 4.311
100RSD 5.748
125RSD 7.185
150RSD 8.622
175RSD 10.059
200RSD 11.496
225RSD 12.933
250RSD 6.532
275RSD 7.185
300RSD 7.838
325RSD 8.491
350RSD 9.144
375RSD 9.798

RSD 57,479

komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 68,975

komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

25

Dostupno u više komada 25
25RSD 1.437
50RSD 2.874
75RSD 4.311
100RSD 5.748
125RSD 7.185
150RSD 8.622
175RSD 10.059
200RSD 11.496
225RSD 12.933
250RSD 6.532
275RSD 7.185
300RSD 7.838
325RSD 8.491
350RSD 9.144
375RSD 9.798

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo kolut
25 - 225RSD 57,479RSD 1.437
250 - 725RSD 26,127RSD 653
750 - 1475RSD 23,514RSD 588
1500 - 2975RSD 20,902RSD 523
3000+RSD 19,595RSD 490

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 5mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Height

0.93mm

Width

1.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više