onsemi N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-Pin TO-247 NTHL065N65S3F
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
337 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.82mm
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
20.82mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 1.902
RSD 1.902 Each (bez PDV-a)
RSD 2.282
RSD 2.282 Each (s PDV-om)
1
RSD 1.902
RSD 1.902 Each (bez PDV-a)
RSD 2.282
RSD 2.282 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | Jedinična cena |
|---|---|
| 1 - 9 | RSD 1.902 |
| 10+ | RSD 1.663 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
337 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.82mm
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
20.82mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda