onsemi Dual N-Channel MOSFET, 42 A, 60 V, 8-Pin DFN NTMFD5C674NLT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Malaysia
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 10,80
€ 1,08 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)
€ 12,64
€ 1,264 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)
Standard
10
€ 10,80
€ 1,08 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)
€ 12,64
€ 1,264 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)
Standard
10
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,08 | € 10,80 |
| 100+ | € 0,92 | € 9,20 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Malaysia
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda