P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02LT3G

RS kataloški broj:: 808-0060brend: onsemiProizvođački broj:: NTR1P02LT3G
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.25V

Maximum Power Dissipation

400 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.1 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1.01mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 23,514

komad ( isporučivo na traci) (bez PDV-a)

RSD 28,217

komad ( isporučivo na traci) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02LT3G
Odaberite vrstu pakovanja

RSD 23,514

komad ( isporučivo na traci) (bez PDV-a)

RSD 28,217

komad ( isporučivo na traci) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02LT3G
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo traka
200 - 200RSD 23,514RSD 4.703
400 - 800RSD 22,208RSD 4.442
1000+RSD 20,902RSD 4.180

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.25V

Maximum Power Dissipation

400 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.1 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1.01mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više