N-Channel MOSFET, 163 A, 40 V, 3-Pin DPAK onsemi NVD5C434N
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
163 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
117 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
80.6 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Series
NVD5C434N
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
2.38mm
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 385,373
komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 462,448
komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 385,373
komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 462,448
komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
163 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
117 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
80.6 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Series
NVD5C434N
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
2.38mm
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda