Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
SemikronMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 49.118,722
komad (u kutiji od 12) (bez PDV-a)
RSD 58.942,466
komad (u kutiji od 12) (s PDV-om)
Semikron SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
12
RSD 49.118,722
komad (u kutiji od 12) (bez PDV-a)
RSD 58.942,466
komad (u kutiji od 12) (s PDV-om)
Semikron SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
12
Kupujte na veliko
količina | Jedinična cena | Po kutija |
---|---|---|
12 - 12 | RSD 49.118,722 | RSD 589.425 |
24 - 24 | RSD 44.938,406 | RSD 539.261 |
36+ | RSD 42.064,438 | RSD 504.773 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
SemikronMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge