STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E

RS kataloški broj:: 829-0627Pbrend: STMicroelectronicsProizvođački broj:: PD55015-E
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerSO

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

10

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

73 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

9.6mm

Maximum Operating Temperature

+165 °C

Height

3.6mm

Typical Power Gain

14 dB

Detalji o proizvodu

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 3.919

RSD 3.919 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)

RSD 4.703

RSD 4.703 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 3.919
2RSD 7.838
3RSD 11.757
4RSD 15.676
5RSD 19.595
6RSD 23.514
7RSD 27.433
8RSD 31.352
9RSD 35.271
10RSD 39.190
11RSD 43.110
12RSD 47.029
13RSD 50.948
14RSD 54.867
15RSD 58.786

RSD 3.919

RSD 3.919 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)

RSD 4.703

RSD 4.703 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 3.919
2RSD 7.838
3RSD 11.757
4RSD 15.676
5RSD 19.595
6RSD 23.514
7RSD 27.433
8RSD 31.352
9RSD 35.271
10RSD 39.190
11RSD 43.110
12RSD 47.029
13RSD 50.948
14RSD 54.867
15RSD 58.786

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerSO

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

10

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

73 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

9.6mm

Maximum Operating Temperature

+165 °C

Height

3.6mm

Typical Power Gain

14 dB

Detalji o proizvodu

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više